Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; польовий; 120В; 305А; Idm: 1000А

Немає в наявності
Код товару: AOTL66215
124,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: AOTL66215
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 185нКл
Корпус: TOLLA
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 2,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 305А
Струм стоку в імпульсі: 1кА
Технологія: AlphaSGT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вентилятор: EC; центробіжній; 230ВAC; 200x200x85мм; 770м3/г; IP54
Вентилятор: EC; центробіжній; 230ВAC; 200x200x85мм; 770м3/г; IP54

14825,16 грн

Виводи:
проводи x7
Вид вентилятора:
центробіжній
Вид двигуна:
1-фазний
Вид підшипника:
кульковий
Недоступний
Резистор: thick film; 16,2Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 16,2Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Датчик: тиску; -4÷4бар; диференційний; OUT: SPI; THT; DIP; -40÷85°C
Датчик: тиску; -4÷4бар; диференційний; OUT: SPI; THT; DIP; -40÷85°C

2147,75 грн

Діапазон вимірювання тиску:
-4...4бар
Конфігурація виходу:
SPI
Корпус:
DIP
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; ERJP03F
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; ERJP03F

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

1,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 1602Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 1602Вт

22266,88 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вихідна напруга:
36В DC
Вихідний струм:
44,5А
Діапазон вихідної напруги:
35,5...45В DC
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 6м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 6м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А; PUR

1825,27 грн

Довжина кабелю:
6м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
жовтий
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8

157,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
SO8