1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SIS406DN-T1-GE3
61,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIS406DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 28нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 14,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,3Вт
Струм стока: 12,2А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перфоратор; Ø: 29мм; для вирубки; Дов.інструмента: 175мм
Перфоратор; Ø: 29мм; для вирубки; Дов.інструмента: 175мм

959,20 грн

Використання інструментів:
для вирубки
Діаметр стержня:
29мм
Довжина інструмента:
175мм
Тип інструмента:
перфоратор
Недоступний
Резистор: thick film; 422Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 422Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 12,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 12,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; 25ppm/°C

0,00 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 330мкГн; 90мА; R: 13Ом; ±10%
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 330мкГн; 90мА; R: 13Ом; ±10%

7,54 грн

Високосортність:
20
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,33мГн
Корпус - дюйм:
1812
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 1000мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 1000мкФ; 25ВDC; ±20%

131,15 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
13,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
12,5мм
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Патч-корд світлопроводний; E2/APC,з обох сторін; 1м; 9/125мкм
Патч-корд світлопроводний; E2/APC,з обох сторін; 1м; 9/125мкм

1862,01 грн

Вид вихідного з'єднання:
E2/APC
Вид волокна:
SMF G657A1
Вид вхідного роз'єму:
E2/APC
Довжина кабелю:
1м
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт

200,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 500мА; Idm: 1,2А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 500мА; Idm: 1,2А; 500мВт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
0,95нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD