1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; польовий; 650В; 6А; Idm: 24А

Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; польовий; 650В; 6А; Idm: 24А
Немає в наявності
Код товару: IPAN60R360PFD7SXKSA1
68,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPAN60R360PFD7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220FP
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 714мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 23Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 24А
Технологія: CoolMOS™ PFD7
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 108,3В; двоспрямована; 0,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 108,3В; двоспрямована; 0,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

601,88 грн

Зворотна напруга макс.:
91,2В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
108,3В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 54; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 54; SMT; 3A; 250V

504,94 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V

266,09 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 9ВDC; Uвих.2: -9ВDC
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 9ВDC; Uвих.2: -9ВDC

1025,09 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідна напруга 2:
-9В DC
Вихідний струм:
0,111А
Вхідна напруга:
4,5...9В DC
Резистор: thick film; 976Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 976Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 511Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 511Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,6x0,8мм
Корпус - дюйм:
0603
Реактор: дротяний; SMD; 0806; 1,5мкГн; ±20%; 80мОм; -40÷150°C
Реактор: дротяний; SMD; 0806; 1,5мкГн; ±20%; 80мОм; -40÷150°C

8,11 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,5мкГн
Корпус - дюйм:
0806
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 15А; Idm: 96А; 250Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 15А; Idm: 96А; 250Вт; TO247

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 31А; Idm: 200А; 360Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 31А; Idm: 200А; 360Вт; TO247

544,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 72А; 42,8Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 72А; 42,8Вт; TO220F

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт

888,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
149нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 35Вт; TO220FP

251,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт; TO220AB

229,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220AB