1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: P60B6EL-5071
39,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: P60B6EL-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 55нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 7,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62,5Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 240А
Технологія: EETMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 13; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 13; THT; straight

14,64 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
22,8мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,4А; Idm: -5,6А; 300мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,4А; Idm: -5,6А; 300мВт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,9нКл
Корпус:
SOT323
Мірник: опору ізоляції; LCD; (1999); ВAC: 750В; ±(1%+6digit)
Мірник: опору ізоляції; LCD; (1999); ВAC: 750В; ±(1%+6digit)

3200,71 грн

Батарея/акумулятор:
немає
Вид вжитого дисплея:
LCD
Вимір:
напруги AC; опору ізоляції
Вимірювальна напруга:
250В; 500В; 1кВ
Недоступний
Резистор: thin film; 95,3кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 95,3кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

24,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 1206

5,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; THT
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; THT

3,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
10пФ
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 126А; Idm: 504А
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 126А; Idm: 504А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
160нКл
Корпус:
FP (SC83 similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6,2А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6,2А; 1,3Вт; SOT23

10,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА

9,50 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; Idm: 120А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; Idm: 120А; 25Вт; QFN3X3

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
12нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 18А; 180Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 18А; 180Вт; DPAK

254,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,7нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 30А; Idm: 160А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 30А; Idm: 160А; 42Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DPAK; TO252AA