Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 20А; Idm: 60А; 44Вт

Немає в наявності
Код товару: P20FE12SLK-5071
35,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Код товару: P20FE12SLK-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: FE (TO252AB similar)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 44мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 44Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: EETMOS3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; THT; 20імп./об; Поз: 20; 5ВDC; 1мА; L: 8мм
Енкодер: інкрементальний; THT; 20імп./об; Поз: 20; 5ВDC; 1мА; L: 8мм

99,47 грн

Вихідний сигнал:
два сигнали А і B
Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
8мм
Кількість всіх позицій:
20
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 3A; 250V

197,67 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
9,4мм
Недоступний
Датчик: температури; Pt100; кл.B; G3/4 A; Електр.під'єдн: PG16
Датчик: температури; Pt100; кл.B; G3/4 A; Електр.під'єдн: PG16

20401,70 грн

Вид датчика температури:
Pt100
Властивості датчиків:
вбудований перетворювач температури 4...20мA
Глибина монтажу:
250мм
Діапазон вимірювання температури:
-50...200°C
Недоступний
Резистор: thick film; 280кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 280кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Перемикач: кнопковий; 22мм; синій; IP65; виступаюча; E; Поз: 2
Перемикач: кнопковий; 22мм; синій; IP65; виступаюча; E; Поз: 2

167,89 грн

Властивості перемикачів:
без символу
Кількість всіх позицій:
2
Клас герметичності:
IP65
Колір кнопки:
синій
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; DIP; THT
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; DIP; THT

2624,18 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вхідна напруга:
9...36В DC
Зовнішні розміри:
25,4x25,4x10,2мм
Кількість виходів:
1
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 128МбFLASH; QUAD SPI; 133МГц; 1,7÷2В; BGA24
IC: пам'ять FLASH; 128МбFLASH; QUAD SPI; 133МГц; 1,7÷2В; BGA24

240,12 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
лоток
Використання:
Automotive
Інтерфейс:
QUAD SPI
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD