1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 13А; Idm: 52А

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 13А; Idm: 52А
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: P13F28HP2-5600
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: P13F28HP2-5600
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Заряд затвора: 15нКл
Корпус: FTO-220AG (SC91)
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 280В
Опір в стані провідності: 0,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 65Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 52А
Технологія: Hi-PotMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

10,77 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 39Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 39Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В

1,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 20пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 20пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0603

0,57 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 360Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 360Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%

33,13 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Перемикач: кулачковий Dahlander; Фікс.поз: 3; 20А; 1-0-2; Поз: 3
Перемикач: кулачковий Dahlander; Фікс.поз: 3; 20А; 1-0-2; Поз: 3

3075,27 грн

Кількість всіх позицій:
3
Кількість фіксованих позицій:
3
Клас герметичності:
IP40 спереду
Кут обертання механічний:
60°
Недоступний
Резистор: thick film; 976кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 976кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 8; штекерний; промислова; 440; 32В; IP67
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 8; штекерний; промислова; 440; 32В; IP67

1316,52 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт

1148,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO247MAX
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А

140,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT