Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 500В; 13А; 150Вт; TO247

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STW28NM50N
380,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STW28NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 135мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 13А
Технологія: MDmesh™ II
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

1,49 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Індикатор: LED; опукла; червоний; 2ВDC; Ø8мм; MPC; проводи; 150мм
Індикатор: LED; опукла; червоний; 2ВDC; Ø8мм; MPC; проводи; 150мм

152,05 грн

Виводи:
проводи
Вид індикатора:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина відводів:
0,15м
IC: мікропроцесор ARM; ARM926; 0,9÷1,1ВDC; SMD; LFBGA217; 32кБSRAM
IC: мікропроцесор ARM; ARM926; 0,9÷1,1ВDC; SMD; LFBGA217; 32кБSRAM

669,03 грн

Вид архітектури:
ARM926
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
мікросхема watchdog
Інтерфейс:
CAN x2; DBGU; Ethernet; FLEXCOM x11; MCI x2; SSC; USB x3
Резистор: thin film; 27кОм; SMD; 400мВт; 3,5x1,4мм; -55÷155°C
Резистор: thin film; 27кОм; SMD; 400мВт; 3,5x1,4мм; -55÷155°C

15,90 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Опір:
27кОм
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 50В; 800мА; 500мВт; TO18
Транзистор: NPN; біполярний; 50В; 800мА; 500мВт; TO18

446,66 грн

Корпус:
TO18
Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
50В
Поляризація:
біполярний
Зчитувач RFID; 4,3÷5,5В,9÷30В; RS232,RS485,USB,WIEGAND; антена
Зчитувач RFID; 4,3÷5,5В,9÷30В; RS232,RS485,USB,WIEGAND; антена

15831,24 грн

Версія Bluetooth:
BLE
Властивості модулів зв'язку:
антена
Дальність:
0,1м
Інтерфейс:
RS232; RS485; USB; WIEGAND
Кабель: до датчиків / автоматики; PIN: 3; гніздовий; PUR; IP67
Кабель: до датчиків / автоматики; PIN: 3; гніздовий; PUR; IP67

501,77 грн

Конструкція кабелю/переходу:
гніздовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 15А; Idm: 96А; 250Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 15А; Idm: 96А; 250Вт; TO247

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 31А; Idm: 200А; 360Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 31А; Idm: 200А; 360Вт; TO247

544,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 72А; 42,8Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 72А; 42,8Вт; TO220F

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт

888,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
149нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 35Вт; TO220FP

251,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт; TO220AB

229,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220AB