1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 500В; 13,86А; Idm: 88А

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 500В; 13,86А; Idm: 88А
Немає в наявності
Код товару: STP32NM50N
203,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP32NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 62,5нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,13Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 190Вт
Струм стока: 13,86А
Струм стоку в імпульсі: 88А
Технологія: MDmesh™ II
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 500мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 500мА

901,55 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,5А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
GWJTLMS1.CM-G8GW-XX35-1-60-1-R33-XX
GWJTLMS1.CM-G8GW-XX35-1-60-1-R33-XX

0,24 грн

Недоступний
Заряд.пристр: для акумуляторів; 10А; Вих: "крокодил"; 85%
Заряд.пристр: для акумуляторів; 10А; Вих: "крокодил"; 85%

Вид акумулятора:
AGM; GEL (гелевий); Li-FePO4; кислотно-свинцевий
Вид вихідного з'єднання:
"крокодил"
Використання:
акумулятор 12B; акумулятор 24B
Властивості зарядних пристроїв:
активне охолоджування; цифровий дисплей
Недоступний
Резистор: thin film; 277кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 277кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

11,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Недоступний
Реактор: film; SMD; 01005; 4,3нГн; 270мА; R: 1Ом; ±3%; LQP; 180мм
Реактор: film; SMD; 01005; 4,3нГн; 270мА; R: 1Ом; ±3%; LQP; 180мм

1,09 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±3%
Індуктивність:
4,3нГн
Корпус - дюйм:
01005
Недоступний
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1225; 3Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1225; 3Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

2,98 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 9,1кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 9,1кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт

1148,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO247MAX
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А

140,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 8А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 8А; Idm: 32А

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
9,8нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 55А; Idm: 220А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 55А; Idm: 220А; 44Вт

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
73нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP

123,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT