Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,7А; Idm: 12А

Немає в наявності
Код товару: STD4N80K5
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: STD4N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: DPAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 2,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 60Вт
Струм стока: 1,7А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Технологія: MDmesh™ K5
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 127Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 127Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

0,90 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 35Вт; TO220FP

251,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220FP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,82 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
0,15нФ
Реактор: феритовий; 470мкГн; 980мА; R: 630мОм; ±10%
Реактор: феритовий; 470мкГн; 980мА; R: 630мОм; ±10%

57,02 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,47мГн
Опір:
0,63Ом
Робочий струм:
0,98А
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 44МГц; Ch: 2; VSSOP8; Iбез навант: 9мА
IC: Oпераційний підсилювач; 44МГц; Ch: 2; VSSOP8; Iбез навант: 9мА

259,12 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
10мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА
Недоступний
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C

2,90 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 5Ом; THT; TO220; 30Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5Ом; THT; TO220; 30Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C

183,73 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±5%
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 45А; Idm: 159А; 303Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 45А; Idm: 159А; 303Вт

1202,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
137нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 72А; Idm: 288А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 72А; Idm: 288А; 217Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; ESD

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323F
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; Idm: 60А; 60Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; Idm: 60А; 60Вт; DPAK

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,2нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 28А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 28А; 2Вт; SOP8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
12,3нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 28А; Idm: 159А; 158Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 28А; Idm: 159А; 158Вт

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
48нКл