Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 22А; 210Вт; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP45N65M5
434,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220-3
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 78мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 210Вт
Струм стока: 22А
Технологія: MDmesh™ V
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 2010; 0,75Вт; ±5%
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 2010; 0,75Вт; ±5%

5,70 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Недоступний
Черевики; Розмір: 46; зелений (темний); текстиль,замша
Черевики; Розмір: 46; зелений (темний); текстиль,замша

2371,39 грн

Колір:
зелений (темний)
Матеріал:
замша; текстиль
Модель:
водостійкий
Розмір:
46
Недоступний
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

2,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 1.5A

218,58 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 512МбFLASH; QUAD SPI; 133МГц; 1,7÷2В; WSON8
IC: пам'ять FLASH; 512МбFLASH; QUAD SPI; 133МГц; 1,7÷2В; WSON8

503,04 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
QUAD SPI
Корпус:
WSON8
Недоступний
Резистор: thin film; 21кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 21кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

9,00 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 80А; Idm: 1067А; 58Вт; PQFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 80А; Idm: 1067А; 58Вт; PQFN8

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
32,4нКл
Корпус:
PQFN8
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 18А
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 18А

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
29нКл
Напруга сток-джерело:
650В
Струм стока:
18А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO262-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 36А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 36А; TO247

533,45 грн

Корпус:
TO247
Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Опір в стані провідності:
78мОм
Струм стока:
36А
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; TO247-4; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; TO247-4; автомобільна галузь

620,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247-4
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO220-3

360,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 25А; 42Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 25А; 42Вт; TO220F

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 150В; 140А; 258Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 150В; 140А; 258Вт; TO220

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT