Транзистор: N-MOSFET; N; 1кВ; 32А; 890Вт; TO264; 200нс

Немає в наявності
Код товару: IXFK32N100X
927,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXFK32N100X
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 130нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: 30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 0,22Ом
Поляризація: N
Потужність розсіювання: 890Вт
Струм стока: 32А
Технологія: HiPerFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 200нс
Недоступний
Резистор: thick film; 2,61кОм; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,61кОм; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
2,61кОм
Диференційний вимикач; Iном: 10А; Iдіф: 30мА; Полюси: 1+N; IP20
Диференційний вимикач; Iном: 10А; Iдіф: 30мА; Полюси: 1+N; IP20

2412,57 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Диференціальний струм:
30мА
Недоступний
Осердя: феритовий; на плоский кабель; A: 18мм; Б: 14мм; C: 5мм; D: 8мм
Осердя: феритовий; на плоский кабель; A: 18мм; Б: 14мм; C: 5мм; D: 8мм

83,63 грн

Використання феритів:
на плоский кабель
Вимір D:
8мм
Матеріал стержня:
феромагнетик Ni-Zn
Розмір C:
5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0402

0,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; ERJP14F
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; ERJP14F

2,89 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 166мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 166мА

518,25 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,166А
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
3,3нФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 130Вт; TO220AB; 60нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 130Вт; TO220AB; 60нс

151,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 110А; 480Вт; TO247-3; 85нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 110А; 480Вт; TO247-3; 85нс

349,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
150нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 96А; 625Вт; TO247-3; 158нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 96А; 625Вт; TO247-3; 158нс

371,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
114нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6А; 300Вт; TO220AB; 64нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6А; 300Вт; TO220AB; 64нс

650,03 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 76А; 460Вт; TO3P; 148нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 76А; 460Вт; TO3P; 148нс

377,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
92нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 32А; 1000Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 32А; 1000Вт; TO264

769,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 44А; 1040Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 44А; 1040Вт; TO264

921,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
198нКл
Корпус:
TO264