Транзистор: N-MOSFET; N; 1кВ; 400мА; 25Вт; DPAK,TO252AA; 1,5мкс

Немає в наявності
Код товару: IXTY01N100D-TRL
117,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IXTY01N100D-TRL
Виробник: IXYS
Заряд затвора: 5,8нКл
Корпус: DPAK; TO252AA
Модель: mодуль
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 80Ом
Поляризація: N
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: 0,4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 1,5мкс
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; 150В; прямий
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; 150В; прямий

838,19 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 31,6Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H-RT; 75В
Резистор: thick film; 31,6Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H-RT; 75В

1,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Провід: інструментальний; 4x0,14мм2; тросик; Cu; чорний; ПВХ
Провід: інструментальний; 4x0,14мм2; тросик; Cu; чорний; ПВХ

123,54 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з мідного дроту
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вміст упаковки:
500м
Недоступний
Резистор: thick film; 4,12кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; 75В; 5000шт.
Резистор: thick film; 4,12кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; 75В; 5000шт.

0,10 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 4,75кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 4,75кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 84,5Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RK73H; 200В
Резистор: thick film; 84,5Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RK73H; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Tap: metric; M4; right hand thread; 0.7; L: 45mm; initial; 3.4mm
Tap: metric; M4; right hand thread; 0.7; L: 45mm; initial; 3.4mm

91,87 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 35Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 35Вт; PG-TDSON-8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В