Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; польовий; 250В; 13,3А; Idm: 68А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPP17N25S3100AKSA1
107,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPP17N25S3100AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 107Вт
Струм стока: 13,3А
Струм стоку в імпульсі: 68А
Технологія: OptiMOS™ T
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 300мА; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 300мА; 2,1Вт; SOT223

0,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Кінцевий датчик; осердя; NO + NC; 10А; проводи; 2м; IP67; -25÷85°C
Кінцевий датчик; осердя; NO + NC; 10А; проводи; 2м; IP67; -25÷85°C

2261,79 грн

Вид головки:
осердя
Довжина відводів:
2м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NO + NC
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 47,8÷52,8В; 5,8А; односпрямована; ±5%; SOD123F
Діод: TVS; 0,4кВт; 47,8÷52,8В; 5,8А; односпрямована; ±5%; SOD123F

27,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
43В
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54

256,59 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток; туба
Корпус:
TFBGA54
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 43; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 43; THT; 3A; 100V

245,82 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 33мкФ; 100ВDC; Ø8x12мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 33мкФ; 100ВDC; Ø8x12мм; ±20%

4,05 грн

Висота:
12мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
33мкФ
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А

866,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт

594,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 40А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 40А; Idm: 160А

287,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
165,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 62,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 62,5Вт; TO220FP

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 50Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 50Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; Idm: 290А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; Idm: 290А; 190Вт; TO247AC

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247AC