Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 27А; 1135Вт; T-Max

Немає в наявності
Код товару: APT26F120B2
1491,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT26F120B2
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 300нКл
Корпус: T-Max
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,58Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1135Вт
Струм стока: 27А
Технологія: POWER MOS 8®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 120нФ; 630ВDC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 120нФ; 630ВDC; THT; ±10%

16,66 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,12мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 10А; Дл: 0,07м; ПВХ
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 10А; Дл: 0,07м; ПВХ

316,78 грн

Довжина проводу:
70мм
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Колір:
зелений
Конструкція вимірювального проводу:
вилка типа "банан" 4 мм; вилки "банан" 2мм
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFJ; 4мкФ; 700ВDC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFJ; 4мкФ; 700ВDC; THT; ±10%

65,26 грн

Висота:
29,5мм
Допуск:
±10%
Ємність:
4мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 0,6м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; ПВХ
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 0,6м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; ПВХ

655,09 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 100В; 3А; Ifsm: 190А; TO277A
Діод: випрямний; THT; 100В; 3А; Ifsm: 190А; TO277A

54,49 грн

Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
TO277A
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247