Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: G3R40MT12K
800,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G3R40MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 106нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...15В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 333Вт
Струм стока: 50А
Струм стоку в імпульсі: 140А
Технологія: G3R™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Connector: wire-board; male,female; data; 12A; 600V; PIN: 12; 6.35mm
Connector: wire-board; male,female; data; 12A; 600V; PIN: 12; 6.35mm

108,34 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий; штекерний
Електричний монтаж:
THT; паяння
Кількість пін:
12
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 25В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 25В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 01005

1,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,5пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 0805

1,34 грн

Alias:
KAM21BR72A332JT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,86 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 180Ом; SMD; 0805; 200мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thin film; 180Ом; SMD; 0805; 200мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

1,06 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 10кОм; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10кОм; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; 4,3мФ; 630ВDC; Ø77x169мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; 4,3мФ; 630ВDC; Ø77x169мм; ±20%

7103,40 грн

Виводи:
болтове
Висота:
169мм
Властивості конденсаторів:
витримують великі струмові навантаження
Діаметр:
77мм
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 15А; Idm: 96А; 250Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 15А; Idm: 96А; 250Вт; TO247

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 31А; Idm: 200А; 360Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 31А; Idm: 200А; 360Вт; TO247

544,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 72А; 42,8Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 72А; 42,8Вт; TO220F

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт

888,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
149нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 35Вт; TO220FP

251,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220FP