Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 22А; Idm: 88А; 30,6Вт

Немає в наявності
Код товару: PSMQB280N10LS2_R2_00201
30,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMQB280N10LS2_R2_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4,4нКл
Корпус: DFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 24мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 30,6Вт
Струм стока: 22А
Струм стоку в імпульсі: 88А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Дисплей: OLED; буквено-цифровий; 16x2; Вим: 84x44x10мм; жовтий
Дисплей: OLED; буквено-цифровий; 16x2; Вим: 84x44x10мм; жовтий

1052,97 грн

Вид дисплея:
буквено-цифровий
Вид контролера:
HD44780
Висота знаку:
5,55мм
Інтерфейс:
8bit MCU
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 100В; X7S; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 100В; X7S; ±10%; SMD; 1206

9,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
Недоступний
Вентилятор: DC; 80x80x25мм; осьовий; 12ВDC; 101,9м3/г; 47,5дБА
Вентилятор: DC; 80x80x25мм; осьовий; 12ВDC; 101,9м3/г; 47,5дБА

651,29 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 11В; SMD; 1мкА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 11В; SMD; 1мкА; ролик,cтрічка

3407,89 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
11В
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 100Ом; 0805; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 100Ом; 0805; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C

5,83 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
100Ом
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 66мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 66мА

865,43 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
66мА
Вхідна напруга:
4,5...9В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Діод: випрямний; SMD; 150В; 1А; 15нс; DO214AC,SMA; Ufmax: 920мВ
Діод: випрямний; SMD; 150В; 1А; 15нс; DO214AC,SMA; Ufmax: 920мВ

24,08 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
150В
Кількість в наборі/упаковці:
1800шт.
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD