Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHFR120TR-GE3
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHFR120TR-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 16нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,27Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 4,9А
Струм стоку в імпульсі: 31А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 3,48кОм; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 3,48кОм; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

41,81 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 0.6N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 0.6N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2мм
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -80А; 88Вт; DPAK,TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -80А; 88Вт; DPAK,TO252

31,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Недоступний
Резистор: thick film; 64,9Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 64,9Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 447÷494В; 2,4А; двоспрямована; SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 447÷494В; 2,4А; двоспрямована; SMC

52,58 грн

Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
447...494В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; THT; 1.5A

250,25 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
9,2мм
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 45А; Idm: 288А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 45А; Idm: 288А

476,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
48нКл