Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,6А; Idm: 90А; 3,2Вт
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMTH10H025LPSQ-13
Price: 29.33 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,6А; Idm: 90А; 3,2Вт

Немає в наявності

Код товару: DMTH10H025LPSQ-13

29,33 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

DMTH10H025LPSQ-13

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 13 дюймів

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

21нКл

Корпус:

PowerDI5060-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

30мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

3,2Вт

Струм стока:

6,6А

Струм стоку в імпульсі:

90А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 630В; X7R; ±10%; SMD; 1812

13,68 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
180мм

Діелектрик:
X7R

Допуск:
±10%

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0603

0,50 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
180мм

Діелектрик:
X5R

Допуск:
±10%

Недоступний

Бажані

Діод: випрямний; THT; 1кВ; 2А; Ifsm: 80А; DO15,DO204AC; Ammo Pack

3,67 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated

Зворотна напруга макс.:
1кВ

Корпус:
DO15; DO204AC

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet

Корпус:
TO263

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
23нКл

Корпус:
SOT223

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6нКл

Корпус:
TSOP6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
6,5нКл

Корпус:
PowerFLAT 5x6

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
8нКл

Корпус:
SO8

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
TO263

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
26,5нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD