Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 102А; 455Вт; TO220AB

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 102А; 455Вт; TO220AB
Brand: IXYS
SKU: IXFP102N15T
Price: 269.89 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IXFP102N15T

269,89 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IXFP102N15T

Виробник:

IXYS

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Властивості напівпровідникових елементів:

thrench gate power mosfet

Заряд затвора:

87нКл

Корпус:

TO220AB

Монтаж:

THT

Напруга сток-джерело:

150В

Опір в стані провідності:

18мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

455Вт

Струм стока:

102А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264

1021,29 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
305нКл

Корпус:
TO264

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна

Заряд затвора:
64нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
FTO-220AG (SC91)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Заряд затвора:
15нКл

Корпус:
FTO-220AG (SC91)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Заряд затвора:
115нКл

Корпус:
FTO-220AG (SC91)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна

Заряд затвора:
182нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
70нКл

Корпус:
TO220AB