Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 65А; Idm: 369А; 234Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: FDB110N15A
170,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: FDB110N15A
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 61нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 11мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 234Вт
Струм стока: 65А
Струм стоку в імпульсі: 369А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; PURO-JZ; JZ; 5G1,5мм2; неекранований; 300В,500В; Cu; тросик
Провід; PURO-JZ; JZ; 5G1,5мм2; неекранований; 300В,500В; Cu; тросик

226,81 грн

Bластивості проводів:
еластичний
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Роз’єм: провід-плата; штекерний; Iном: 12А; 400В; PIN: 16; прямий
Роз’єм: провід-плата; штекерний; Iном: 12А; 400В; PIN: 16; прямий

199,57 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT; паяння
Кількість пін:
16
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
64нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SuperSOT-6