Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHL640STRL-GE3
91,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHL640STRL-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 66нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 0,27Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 11А
Струм стоку в імпульсі: 68А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 10мкФ; 200ВDC; Ø8x10мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 10мкФ; 200ВDC; Ø8x10мм; ±20%

18,56 грн

Висота:
10мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 5; 0,6м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 3А; ПВХ
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 5; 0,6м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 3А; ПВХ

978,84 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Вольтметр; цифровий,монтажний; -10÷10В; панельний; LED; 5 цифр
Вольтметр; цифровий,монтажний; -10÷10В; панельний; LED; 5 цифр

5874,94 грн

Вид вжитого дисплея:
LED
Вимір:
напруги DC
Висота знаку:
14мм
Вихід:
вихід типу OC x2
Недоступний
Роз’єм: IDC; штекерний; PIN: 44; вертикальне,прямий; 1А; THT; 2,54мм
Роз’єм: IDC; штекерний; PIN: 44; вертикальне,прямий; 1А; THT; 2,54мм

0,00 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
44
Кількість рядів:
2
Недоступний
Ключ: тріскачка; 3/8"; з перемикачем; Зуби: 72
Ключ: тріскачка; 3/8"; з перемикачем; Зуби: 72

1269,01 грн

Кількість зубів:
72
Модель:
з перемикачем
Розмір гнізда тримача - дюйм:
3/8"
Тип ключа:
тріскачка
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 270мкФ; 500ВDC; Ø35x40мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 270мкФ; 500ВDC; Ø35x40мм

401,04 грн

Висота:
40мм
Властивості конденсаторів:
компактні розміри корпусу
Діаметр:
35мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 267Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 267Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,57 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
267Ом
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD