Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 15А; Idm: 75А; 62Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: WMK27N20JN
36,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMK27N20JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 5,8нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 60мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62Вт
Струм стока: 15А
Струм стоку в імпульсі: 75А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 130нс
Недоступний
Резистор: thick film; 309кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 309кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,73 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; LED; 3Вт; 1,8÷4ВDC; 700мА; 220÷240ВAC
Блок живлення: імпульсний; LED; 3Вт; 1,8÷4ВDC; 700мА; 220÷240ВAC

0,00 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
1,8...4В DC
Вихідний струм:
0,7А
Недоступний
Резистор: thick film; 9,31кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 9,31кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Кінцевий датчик; NO x2-NC x2; 10А; макс.250ВAC; PG13,5; IP67; FR
Кінцевий датчик; NO x2-NC x2; 10А; макс.250ВAC; PG13,5; IP67; FR

1116,32 грн

Кількість монтажних отворів:
2
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NO x2 - NC x2
Макс. струм контактів:
10А
Недоступний
Резистор: thin film; 1,37Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 1,37Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

3,36 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 1,45кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 1,45кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Симістор; 600В; 16А; Igt: 50мА; TO220F; туба; Ifsm: 160А
Симістор; 600В; 16А; Igt: 50мА; TO220F; туба; Ifsm: 160А

25,79 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high commutation
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8,1А; Idm: 52А; 51Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8,1А; Idm: 52А; 51Вт; TO220F

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 45А; Idm: 90А; 240Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 45А; Idm: 90А; 240Вт

535,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
73нКл
Корпус:
HIP247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 48А; 110Вт; I2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 48А; 110Вт; I2PAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
I2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,27А; Idm: 3А; 0,625Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,27А; Idm: 3А; 0,625Вт; TO92

75,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; Idm: 90А; 370Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; Idm: 90А; 370Вт; TO247

463,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
74нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 105А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 105А; Idm: 320А

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 36А; 77Вт; FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 36А; 77Вт; FTO-220AG (SC91)

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)