Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6А; Idm: 45А; 1Вт; U-DFN2030-6

Немає в наявності
Код товару: DMN2016LHAB-7
12,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: DMN2016LHAB-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 16нКл
Корпус: U-DFN2030-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 45А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 549кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 549кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 1,69кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 1,69кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR

122,28 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CQ; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CQ; 200В; -55÷155°C

3,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0402

0,39 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,4пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 1,5кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 1,5кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

2,19 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
IC: рація Ethernet; MDC,MDI,MDI-X,MDIO,RMII; QFN32; 10/100Base-T
IC: рація Ethernet; MDC,MDI,MDI-X,MDIO,RMII; QFN32; 10/100Base-T

59,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
PHY
Інтерфейс:
MDC; MDI; MDIO; MDI-X; RMII
Категорія Ethernet:
10/100Base-T
Недоступний
Резистор: thick film; 200кОм; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 200кОм; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,21 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт

609,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт

35,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
57нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
38нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD