Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 76А; 460Вт; TO263; 148нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA76N25T
275,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA76N25T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 92нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 44мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 460Вт
Струм стока: 76А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 148нс
Недоступний
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; FFC5-TIN; Р.стрічки: 0,5мм
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; FFC5-TIN; Р.стрічки: 0,5мм

40,55 грн

Властивості з’єднувального кабелю:
контакти з одного боку
Довжина:
228мм
Номінальна напруга:
60В
Номінальний струм:
0,5А
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±1%; SG73S; 200В
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±1%; SG73S; 200В

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,3пФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; TFBGA64; 1,8÷3,6ВDC; STM32L1
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; TFBGA64; 1,8÷3,6ВDC; STM32L1

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M3
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; PWM; RTC; watchdog
Інтерфейс:
I2C x2; SPI x2; USART x3; USB
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0402

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: відкритий колектор; Uізол: 7,5кВ; PSDIP8-GW
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: відкритий колектор; Uізол: 7,5кВ; PSDIP8-GW

248,99 грн

Вид виходу:
відкритий колектор
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
1
Кількість пін:
8
Недоступний
Резистор: thick film; 38,3Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 38,3Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8