Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 13А; Idm: 50А; 1,5Вт; SO8

Немає в наявності
Код товару: DMT3020LSDQ-13
17,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMT3020LSDQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 7нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 32мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 0,5А; Полюси: 3
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 0,5А; Полюси: 3

2747,09 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Кількість полюсів:
3
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thick film; 330мОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; ERJB1BF
Резистор: thick film; 330мОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; ERJB1BF

8,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Недоступний
Резистор: thick film; 38,3кОм; SMD; 0603; 333мВт; ±1%; SG73P-RT
Резистор: thick film; 38,3кОм; SMD; 0603; 333мВт; ±1%; SG73P-RT

1,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Світловий бар'єр безпеки; H: 1060мм; 18м; AD; 24ВDC; 0÷55°C
Світловий бар'єр безпеки; H: 1060мм; 18м; AD; 24ВDC; 0÷55°C

0,00 грн

Висота:
1060мм
Властивості датчиків:
захист руки
Дальність:
18м
Напруга живлення:
24В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 383кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 383кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 5,9кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 5,9кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Connector: PCB to PCB; female; data; PIN: 40; straight; SMT; 1.27mm
Connector: PCB to PCB; female; data; PIN: 40; straight; SMT; 1.27mm

207,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
40
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD