Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; Idm: 18А; 1Вт; SOT363T

Немає в наявності
Код товару: RF6E045AJTCR
46,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RF6E045AJTCR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8,1нКл
Корпус: SOT363T
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 23,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 4,5А
Струм стоку в імпульсі: 18А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 120Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 120Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

2,92 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 34,8кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 34,8кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В; -55÷155°C

3,80 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Діод: випрямний; THT; 200В; 10Аx2; Ifsm: 90А; I2PAK; туба; Ufmax: 1,1В
Діод: випрямний; THT; 200В; 10Аx2; Ifsm: 90А; I2PAK; туба; Ufmax: 1,1В

96,93 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
I2PAK
Недоступний
Резистор: thin film; 152кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 152кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

34,85 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Гніздовий; екранований; PIN: 19; позолочений; кутовий; на панель
Гніздовий; екранований; PIN: 19; позолочений; кутовий; на панель

129,88 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT; паяння
Кількість пін:
19
Колір корпусу:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 1,78кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,78кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8