Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7,8А; Idm: 28А; 1,92Вт; WDFN6

Немає в наявності
Код товару: NTLJS4114NT1G
23,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: NTLJS4114NT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8,5нКл
Корпус: WDFN6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 35мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,92Вт
Струм стока: 7,8А
Струм стоку в імпульсі: 28А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 450В; X7R; ±20%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 450В; X7R; ±20%; SMD; 2220

36,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; RC; -55÷155°C

0,34 грн

Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
3,1x1,6мм
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 24пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 24пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 6,34кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 6,34кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1812

25,41 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; 2-wire; MSOP8; SMD; Ch: 1; ролик,cтрічка
IC: цифровий потенціометр; 2-wire; MSOP8; SMD; Ch: 1; ролик,cтрічка

29,78 грн

Вид пам’яті:
енергозал.
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
2-wire
Кількість каналів:
1
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 122÷135В; 1,1А; односпрямована; SOD123F; ролик
Діод: TVS; 0,4кВт; 122÷135В; 1,1А; односпрямована; SOD123F; ролик

15,84 грн

Вид упаковки:
ролик
Зворотна напруга макс.:
110В
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD