1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7,9А; Idm: 40А; 1,3Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7,9А; Idm: 40А; 1,3Вт
Немає в наявності
Код товару: DMN3025LFDF-13
7,73 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMN3025LFDF-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 13,2нКл
Корпус: U-DFN2020-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: 7,9А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вентилятор: DC; 60x60x25мм; осьовий; 24ВDC; 46,8м3/г; 36дБА; IP68
Вентилятор: DC; 60x60x25мм; осьовий; 24ВDC; 46,8м3/г; 36дБА; IP68

3871,01 грн

Виводи:
проводи x4
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Довжина відводів:
0,3м
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,47нФ
Недоступний
Резистор: thin film; 330кОм; 0402; 62,5мВт,63мВт; ±1%; 50ppm/°C
Резистор: thin film; 330кОм; 0402; 62,5мВт,63мВт; ±1%; 50ppm/°C

0,00 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
0,33МОм
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 2010; 0,75Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 2010; 0,75Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,15 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 160кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 160кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перетворювач: DC/AC; 230ВAC; Властивості: чиста синусоїда; MPPT
Перетворювач: DC/AC; 230ВAC; Властивості: чиста синусоїда; MPPT

7223,15 грн

Використання:
фотоелектрика
Вихідна напруга:
230В AC
Властивості блоків перетворювачів:
чиста синусоїда
Захист:
перегрівання OTP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Резистор: thick film; 13,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 13,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,15 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404