Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 80А; Idm: 140А; 35Вт; HSOP8

Немає в наявності
Код товару: RS1E350BNTB
50,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: RS1E350BNTB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 185нКл
Корпус: HSOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: 80А
Струм стоку в імпульсі: 140А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; 20МГц; GPIO,ICSP; 2÷5,5ВDC; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; 20МГц; GPIO,ICSP; 2÷5,5ВDC; SMD

95,67 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog
Інтерфейс:
GPIO; ICSP
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 220мкФ; 500ВDC; Ø35x35мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 220мкФ; 500ВDC; Ø35x35мм

337,68 грн

Висота:
35мм
Властивості конденсаторів:
висока довговічність; компактні розміри корпусу
Діаметр:
35мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; TO277B; SMD; 45В; 10А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; TO277B; SMD; 45В; 10А; ролик,cтрічка

33,58 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
45В
Корпус:
TO277B
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 48ВDC; DPST-NC; 8А; 8A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 48ВDC; DPST-NC; 8А; 8A/250ВAC

89,33 грн

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
DPST-NC
Макс. напруга котушки:
72В DC
Макс. струм контактів:
8А
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFJ; 4мкФ; 700ВDC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFJ; 4мкФ; 700ВDC; THT; ±10%

65,26 грн

Висота:
29,5мм
Допуск:
±10%
Ємність:
4мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 0,6м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; ПВХ
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 0,6м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; ПВХ

655,09 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 100В; 3А; Ifsm: 190А; TO277A
Діод: випрямний; THT; 100В; 3А; Ifsm: 190А; TO277A

54,49 грн

Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
TO277A
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404