Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 237А; Idm: 1480А; 64Вт; LFPAK8

Немає в наявності
Код товару: NVMJS1D2N04CLTWG
102,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMJS1D2N04CLTWG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 93нКл
Корпус: LFPAK8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 64Вт
Струм стока: 237А
Струм стоку в імпульсі: 1480А
Тип транзистора: N-MOSFET
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; ADC,DAC,EUSART,I2C / SPI; THT; туба
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; ADC,DAC,EUSART,I2C / SPI; THT; туба

112,77 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PPS; watchdog; XLP
Інтерфейс:
ADC; DAC; EUSART; I2C / SPI
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 120мкФ; 450ВDC; Ø25x30мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 120мкФ; 450ВDC; Ø25x30мм

165,99 грн

Висота:
30мм
Властивості конденсаторів:
великий імпульсний струм
Діаметр:
25мм
Допуск:
±20%
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 3A; 250V

32,31 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,6мм
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
ИК передавач; 920÷960нм; прозора; 500мВт; 80°; 2,6÷3,35ВDC; SMD
ИК передавач; 920÷960нм; прозора; 500мВт; 80°; 2,6÷3,35ВDC; SMD

93,13 грн

Довжина хвилі λd:
920...960нм
Корпус - мм:
3535
Кут світіння:
80°
Лінза діода:
прозора
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,5%
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD