1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 370А; Idm: 900А; 67Вт; DFN5

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 370А; Idm: 900А; 67Вт; DFN5
Немає в наявності
Код товару: NTMFS5C404NLT1G
106,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: NTMFS5C404NLT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 181нКл
Корпус: DFN5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 670мкОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 67Вт
Струм стока: 370А
Струм стоку в імпульсі: 900А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

2,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 50В; CHA; ±0,1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 50В; CHA; ±0,1%; SMD; 0402

1,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,1%
Резистор: дротяний; 1кОм; з радіатором; 25Вт; ±1%; 30ppm/°C; 18,6мм
Резистор: дротяний; 1кОм; з радіатором; 25Вт; ±1%; 30ppm/°C; 18,6мм

94,40 грн

Виводи:
до лютування
Вид резистора:
з радіатором
Допуск:
±1%
Кількість монтажних отворів:
2
Конденсатор: керамічний; 330пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 330пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

13,30 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,33нФ
Корпус - дюйм:
0805
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М8 "мама"; кутовий; 5м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М8 "мама"; кутовий; 5м; вилка; 60ВDC

1077,67 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: metal film; 33мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; CSN
Резистор: metal film; 33мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; CSN

3,21 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Діод: TVS; 75В; 14,8А; двоспрямована; ±5%; DO201; 1,5кВт; 1.5KE
Діод: TVS; 75В; 14,8А; двоспрямована; ±5%; DO201; 1,5кВт; 1.5KE

25,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
64,1В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Модель:
ESD