Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 71А; Idm: 352А; 25Вт; DFN5

Немає в наявності
Код товару: NVMFS5C460NWFT1G
82,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFS5C460NWFT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 16нКл
Корпус: DFN5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 5,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: 71А
Струм стоку в імпульсі: 352А
Тип транзистора: N-MOSFET
IC: мікроконтролер PIC; 3кБ; 20МГц; ICSP; 2÷5,5ВDC; SMD; SO28; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 3кБ; 20МГц; ICSP; 2÷5,5ВDC; SMD; SO28; PIC16

61,45 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; watchdog
Інтерфейс:
ICSP
Резистор: thin film; 1,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 1,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

12,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 178Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 178Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 6,98МОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 6,98МОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

10,96 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; AC; -55÷155°C

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Вимикач максимального струму; 3,5А; Полюси: 1; SNAP-IN; TA45 2P
Вимикач максимального струму; 3,5А; Полюси: 1; SNAP-IN; TA45 2P

1102,38 грн

Виводи:
гвинтові виводи; конектори
Кількість полюсів:
1
Колір кнопки:
зелений
Монтаж:
snap-in
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 56пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; 0603
Конденсатор: керамічний; 56пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; 0603

0,20 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
56пФ
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD