Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 35А; Idm: 175А; 780Вт

Немає в наявності
Код товару: APT56F50B2
806,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT56F50B2
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 0,22мкКл
Корпус: TO247MAX
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 780Вт
Струм стока: 35А
Струм стоку в імпульсі: 175А
Технологія: POWER MOS 8®
Тип транзистора: N-MOSFET
Patch cord; S/FTP; Cat 7; RJ45 вилка,RJ45 кутова вилка права
Patch cord; S/FTP; Cat 7; RJ45 вилка,RJ45 кутова вилка права

549,92 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 1.5A

137,48 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Довжина контакту:
4,8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,07 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 80МГц; LQFP48; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 80МГц; LQFP48; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; TRNG; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN; GPIO; I2C; LPUART; QSPI; SAI; SPI; SWPMI; USART; USB
Кількість входів/виходів:
38
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; ККД: 85%; OUT: 1; 3,3В
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; ККД: 85%; OUT: 1; 3,3В

3201,98 грн

Вихідна напруга:
3,3В
Кількість виходів:
1
ККД:
85%
Потужність:
15Вт
Резистор: thin film; 62кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 62кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 1,2кОм; 0402; 63мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,2кОм; 0402; 63мВт; ±5%; -55÷155°C

0,21 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 34А; Idm: 90А; 270Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 34А; Idm: 90А; 270Вт

1498,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
HIP247™
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 45А; Idm: 288А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 45А; Idm: 288А

476,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 18А; Idm: 676А; 37Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 18А; Idm: 676А; 37Вт; TO220FP

344,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 5А; Idm: 20А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 5А; Idm: 20А

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 26А; Idm: 104А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 26А; Idm: 104А

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
24,5нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
TO220FP