Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11,1А; 96Вт; PG-VSON-4

Немає в наявності
Код товару: IPL60R299CPAUMA1
148,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPL60R299CPAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-VSON-4
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,299Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 96Вт
Струм стока: 11,1А
Технологія: CoolMOS™ CP
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
PG13,5; IP65; латунь; металевий; Стійкість до: промені УФ
PG13,5; IP65; латунь; металевий; Стійкість до: промені УФ

513,81 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
для екранованих проводів
Вид різьблення:
PG
Довжина гвинта:
6мм
Зовнішній діаметр проводу:
9...11мм
Недоступний
Резистор: thin film; 9,09кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 9,09кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 19мм; 1/2"
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 19мм; 1/2"

631,02 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Довжина насадки:
80мм
Матеріал:
хром-молібденова сталь
Модель:
довга; тонкостінна
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,02 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 240Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 240Вт

5740,63 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вихідна напруга:
48В DC
Вихідний струм:
5А
Діапазон вихідної напруги:
45,6...50,4В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 900В; 11А; 50Вт; D2PAK-7; 20нс
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 900В; 11А; 50Вт; D2PAK-7; 20нс

414,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 8,3Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 8,3Вт; DFN3x3 EP

16,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD