Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; Idm: 60,6А; 208Вт

Немає в наявності
Код товару: FCMT199N60
149,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: FCMT199N60
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 57нКл
Корпус: Power88
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,199Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 208Вт
Струм стока: 20,2А
Струм стоку в імпульсі: 60,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2÷6ВDC; Uвих: 1,2ВDC; 0,6А; SMD; 3МГц
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2÷6ВDC; Uвих: 1,2ВDC; 0,6А; SMD; 3МГц

186,26 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,2В DC
Вихідний струм:
0,6А
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 6; М12 "мама"; кутовий; 7,5м; вилка; 30ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 6; М12 "мама"; кутовий; 7,5м; вилка; 30ВDC

1024,46 грн

Довжина кабелю:
7,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
6
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 25ppm/°C

0,70 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

8,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Connector: D-Sub; PIN: 25; socket; female; data transfer; straight
Connector: D-Sub; PIN: 25; socket; female; data transfer; straight

73,49 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
25
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Конденсатор: електролітичний; THT; 47мкФ; 100ВDC; Ø10x12,5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 47мкФ; 100ВDC; Ø10x12,5мм; ±20%

6,53 грн

Висота:
12,5мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD