Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21мА; 500мВт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: BSS126IXTSA1
2,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: BSS126IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 1,4нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 280Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 21мА
Технологія: SIPMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 16кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 16кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; SMT; 3A; 250V

81,09 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Резистор: thick film; 3,74кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF
Резистор: thick film; 3,74кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 383кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 383кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 1812; 750мВт; ±1%; ERJ12SF
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 1812; 750мВт; ±1%; ERJ12SF

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1812
Корпус - мм:
4532
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 3300мкФ; 6,3ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 3300мкФ; 6,3ВDC; ±20%

19,32 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 24ВDC; SPST; 6А; 6A/250ВAC; 2A/24ВDC
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 24ВDC; SPST; 6А; 6A/250ВAC; 2A/24ВDC

1142,30 грн

Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Зовнішні розміри:
14x80x94мм
Клас герметичності:
IP20
Конфігурація контактів:
SPST
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
13нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70,8нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,9нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669