Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; Idm: 116А; 250Вт; TO247AC

Немає в наявності
Код товару: SIHG065N60E-GE3
354,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHG065N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 74нКл
Корпус: TO247AC
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 25А
Струм стоку в імпульсі: 116А
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206

12,86 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
10пФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 1; NO x2; синій; LED; IP66
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 1; NO x2; синій; LED; IP66

942,09 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Клас герметичності:
IP66
Недоступний
Резистор: thick film; 374Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 374Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Test probe: screw-in; 8A; Ø: 4mm; GKS-747; CuBe; 1.5N; screw-in; 30mΩ
Test probe: screw-in; 8A; Ø: 4mm; GKS-747; CuBe; 1.5N; screw-in; 30mΩ

619,62 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
4мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 620пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 620пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Наконечник; викрутка; 2,5мм; 510°C; до паяльної станції
Наконечник; викрутка; 2,5мм; 510°C; до паяльної станції

1877,22 грн

Застосування паяльного обладнання:
до паяльної станції
Модель:
з нагрівачем
Розміри наконечника:
2,5мм
Супутні товари:
CV-5210; CV-H1-AV; MX-5210; MX-5251; MX-5270; MX-H1-AV
Недоступний
Резистор: thick film; 7,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 7,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 18А
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 18А

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
29нКл
Напруга сток-джерело:
650В
Струм стока:
18А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO262-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 36А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 36А; TO247

533,45 грн

Корпус:
TO247
Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Опір в стані провідності:
78мОм
Струм стока:
36А
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; TO247-4; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; TO247-4; автомобільна галузь

620,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247-4
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO220-3

360,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 25А; 42Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 25А; 42Вт; TO220F

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 150В; 140А; 258Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 150В; 140А; 258Вт; TO220

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT