1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 340мА; Idm: 1,36А; 150мВт; ESD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 340мА; Idm: 1,36А; 150мВт; ESD
Немає в наявності
Код товару: WM06N03HE
20,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM06N03HE
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,06нКл
Корпус: SOT723
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,15Вт
Струм стока: 0,34А
Струм стоку в імпульсі: 1,36А
Тип транзистора: N-MOSFET
Блок живлення: імпульсний; AC/DC; Iвих max: 660мА; 6Вт; Iвих: 660мА
Блок живлення: імпульсний; AC/DC; Iвих max: 660мА; 6Вт; Iвих: 660мА

599,34 грн

Вид блоку живлення:
AC/DC
Вихідна напруга:
9В
Вихідний струм:
0,66А
Вхідна напруга:
90...264В AC
Недоступний
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В

0,39 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 412кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 412кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 14,3кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 14,3кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 20А; 12,7А; Igt: 32мА; TO220FP
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 20А; 12,7А; Igt: 32мА; TO220FP

0,00 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; HQ; 200В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Діод: зенера; 0,83Вт; 9,1В; SMD; SOD123F; одиночний діод
Діод: зенера; 0,83Вт; 9,1В; SMD; SOD123F; одиночний діод

10,14 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зенерівська напруга:
9,1В
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD