Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92

Немає в наявності
Код товару: TN0106N3-G-P003
56,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TN0106N3-G-P003
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Стандартне пакування виробника: 2000шт.
Струм стока: 0,35А
Струм стоку в імпульсі: 2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: IDC; гніздо; штекерний; PIN: 50; HIF3; кутовий; THT; на PCB
Роз’єм: IDC; гніздо; штекерний; PIN: 50; HIF3; кутовий; THT; на PCB

0,00 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
50
Матеріал контакту:
латунь
Недоступний
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 549кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 549кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 82Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 82Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
82Ом
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±5%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±5%; RC; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 76,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 76,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB

339,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс

391,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™

681,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,35мкКл
Корпус:
ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт

699,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
97нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220

295,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А

106,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD