Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 290А; 23Вт; LFPAK56

Немає в наявності
Код товару: NVMYS9D3N06CLTWG
63,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMYS9D3N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9,5нКл
Корпус: LFPAK56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 9,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 23Вт
Струм стока: 50А
Струм стоку в імпульсі: 290А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal film; 1,78кОм; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові
Резистор: metal film; 1,78кОм; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові

0,31 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 137кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B
Резистор: thick film; 137кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B

1,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,0051мкФ; 1,6кВDC; THT; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,0051мкФ; 1,6кВDC; THT; ±5%

14,51 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
5,1нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
20мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,62пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,62пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,62пФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 100мВт; Uвх: 4,4÷5,6ВDC; Uвих: 9ВDC; DIP14; THT
Перетворювач: DC/DC; 100мВт; Uвх: 4,4÷5,6ВDC; Uвих: 9ВDC; DIP14; THT

293,34 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідна напруга 2:
-9В DC
Вихідний струм:
5,55мА
Вхідна напруга:
4,4...5,6В DC
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 6А; 6A/250ВAC; THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 6А; 6A/250ВAC; THT

126,71 грн

Виводи:
до лютування
Кількість пін:
5
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. напруга котушки:
18В DC
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 7,2ВDC; SIP7; THT
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 7,2ВDC; SIP7; THT

207,17 грн

Вихідна напруга:
7,2В DC
Вихідна напруга 2:
-7,2В DC
Вихідний струм:
69мА
Вхідна напруга:
2,97...3,63В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Модель:
ESD