Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO263-3

Немає в наявності
Код товару: IPB65R380C6ATMA1
101,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPB65R380C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO263-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,38Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 10,6А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
IC: перетворювач D/A; 8бит; 220кsps; Ch: 8; TSSOP16; -40÷125°C
IC: перетворювач D/A; 8бит; 220кsps; Ch: 8; TSSOP16; -40÷125°C

312,98 грн

Max DNL:
±0,15LSB
Max INL:
±0,5LSB
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Інтерфейс:
SPI
Недоступний
Резистор: thin film; 7,32кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 7,32кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 12,8А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 12,8А; 2,5Вт; SO8

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
49нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,4А; 350мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,4А; 350мВт; SOT23,TO236AB

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21,5А; 53,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21,5А; 53,5Вт; TO252

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 11А; 125Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 11А; 125Вт; D2PAK

189,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 17А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 17А; 60Вт; DPAK; ESD

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А; ESD

9,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SC70; SOT323