Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 38А; 34Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: SIHP15N65E-GE3
208,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHP15N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 96нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,28Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 34Вт
Струм стока: 10А
Струм стоку в імпульсі: 38А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal film; 102кОм; THT; 400мВт; ±1%; 0; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: metal film; 102кОм; THT; 400мВт; ±1%; 0; 200В; Ш0,5x29мм

9,25 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; HQ; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; HQ; 250В; -55÷155°C

4,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: thick film; 750кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 750кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 681кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H-RT; 75В
Резистор: thick film; 681кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H-RT; 75В

1,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 1,5мкФ; 30ВAC; 50ВDC; ±10%; F161; SMD
Конденсатор: поліестровий; 1,5мкФ; 30ВAC; 50ВDC; ±10%; F161; SMD

136,85 грн

Вид матеріалу:
що самогаситься
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Ємність:
1,5мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 6; THT; 3A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 6; THT; 3A; 125V

47,52 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
5,5мм
Довжина відводів:
3мм
Недоступний
Резистор: thick film; 88,7кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF
Резистор: thick film; 88,7кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт

1148,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO247MAX
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А

140,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 8А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 8А; Idm: 32А

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
9,8нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 55А; Idm: 220А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 55А; Idm: 220А; 44Вт

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
73нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP

123,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT