Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 29А; Idm: 63А; 14Вт; ITO220AB

Немає в наявності
Код товару: PJMF130N65EC_T0_006A1
200,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJMF130N65EC_T0_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 51нКл
Корпус: ITO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,13Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 14Вт
Струм стока: 29А
Струм стоку в імпульсі: 63А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 2,05кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 2,05кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 634кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 634кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25В; X5R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25В; X5R; ±20%; SMD; 0603

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; 100ppm/°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; TC; 200В
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; TC; 200В

0,91 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
M50; 1,5; IP68; поліамід; чорний; UL94V-2; SKINTOP®; SKINTOP® ST-M
M50; 1,5; IP68; поліамід; чорний; UL94V-2; SKINTOP®; SKINTOP® ST-M

383,30 грн

Вид різьблення:
метрична
Відповідність стандарту:
UL 514B
Довжина:
62мм
Довжина гвинта:
12мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603

0,71 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 96А; 480Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 96А; 480Вт; TO247-3

321,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO220AB; 95нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO220AB; 95нс

530,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3А; 125Вт; TO220AB; 24нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3А; 125Вт; TO220AB; 24нс

227,45 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
1,07мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 52А; 960Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 52А; 960Вт; TO247-3

727,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 15А; 290Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 15А; 290Вт; ISOPLUS247™

1766,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
197нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В