Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 42А; Idm: 168А; 250Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: STB43N65M5
491,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STB43N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,1мкКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 63мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 42А
Струм стоку в імпульсі: 168А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 600В; 8А; Ifsm: 125А; ITO220AC; Ufmax: 1,5В
Діод: випрямний; THT; 600В; 8А; Ifsm: 125А; ITO220AC; Ufmax: 1,5В

54,49 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
ITO220AC
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±20%; 6x6x3мм; 1,9А; ферит; H: 3мм
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±20%; 6x6x3мм; 1,9А; ферит; H: 3мм

2,57 грн

Висота:
3мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
22мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Недоступний
Резистор: thick film; 820Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±5%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 820Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±5%; CQ; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; 2А; 1A/125ВAC; PCB
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; 2А; 1A/125ВAC; PCB

81,73 грн

Зовнішні розміри:
20,2x10x11,5мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. напруга котушки:
48В DC
Макс. струм контактів:
2А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,5пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 2,8кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,8кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,31 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 120МГц; LQFP100; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 120МГц; LQFP100; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; LCD controller; TRNG; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN; GPIO; I2C; LPUART; PSSI; SAI; SDMMC; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
77
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл