Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 230А; 480Вт; TO263-7; 66нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA230N075T2-7
352,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA230N075T2-7
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 178нКл
Корпус: TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 75В
Опір в стані провідності: 4,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 480Вт
Струм стока: 230А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 66нс
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; PS; 500В
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; PS; 500В

3,93 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 9,1Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

1,20 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
9,1Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0603

1,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: totem pole; Uізол: 3,75кВ; SOIC8; Urmax: 5В
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: totem pole; Uізол: 3,75кВ; SOIC8; Urmax: 5В

0,00 грн

Вид виходу:
totem pole
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
2
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Резистор: thick film; 48,7Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 48,7Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В

0,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; R76; 270нФ; 1,6кВDC; 650ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; R76; 270нФ; 1,6кВDC; 650ВAC; THT

195,77 грн

Вид матеріалу:
що самогаситься
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
25мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 19,6Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 19,6Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8