Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 135А; Idm: 765А; 294Вт

Немає в наявності
Код товару: PSMN3R5-80YSFX
142,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN3R5-80YSFX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 112,5нКл
Корпус: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 7,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 294Вт
Струм стока: 135А
Струм стоку в імпульсі: 765А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 5кВт; 44,4÷49,1В; 77,6А; односпрямована; SMC; 5KMC
Діод: TVS; 5кВт; 44,4÷49,1В; 77,6А; односпрямована; SMC; 5KMC

50,05 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
40В
Корпус:
SMC
Недоступний
Резистор: thick film; 6,34Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 6,34Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 50; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 50; SMT; 3A; 100V

378,87 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Калібр різьби; M30; тонка нитка,метрична; 2; 6H
Калібр різьби; M30; тонка нитка,метрична; 2; 6H

4611,64 грн

Вид різьблення:
метрична; тонка нитка
Відповідність стандарту:
DIN 13; DIN ISO 1502
Допуск:
6H
Крок різьби:
2
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 7,5м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 7,5м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А

2110,37 грн

Довжина кабелю:
7,5м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
жовтий
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 19,6кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 19,6кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Конденсатор: кремнієвий; 10нФ; 30В; ±15%; -55÷150°C; BBSC
Конденсатор: кремнієвий; 10нФ; 30В; ±15%; -55÷150°C; BBSC

39,91 грн

Допуск:
±15%
Ємність:
10нФ
Робоча напруга:
30В
Робоча температура:
-55...150°C
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD