1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 195А; Idm: 780А; 192,3Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 195А; Idm: 780А; 192,3Вт
Немає в наявності
Код товару: WMB027N08HG4
65,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMB027N08HG4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 77,9нКл
Корпус: PDFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 2,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 192,3Вт
Струм стока: 195А
Струм стоку в імпульсі: 780А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 14; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 14; SMT; straight

46,25 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,4мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
68нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402

6,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Насадка: шестигранний-bit; HEX 6мм; 1/4"; Довж.насадки: 33мм
Насадка: шестигранний-bit; HEX 6мм; 1/4"; Довж.насадки: 33мм

164,72 грн

Довжина насадки:
33мм
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Розмір грота:
HEX 6мм
Тип насадки:
шестигранний - bit
Tap: metric; M10; 1.5; L: 100mm; Holder: machine; 8mm; ISO2/6H
Tap: metric; M10; 1.5; L: 100mm; Holder: machine; 8mm; ISO2/6H

945,90 грн

Type of tap:
метрична
Вид рукоятки:
машина
Використання інструментів:
для крізних отворів; хромонікелеві сплави
Відповідність стандарту:
DIN 371
Недоступний
Резистор: thick film; 2,49кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 2,49кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0805

8,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD