Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 71А; Idm: 347А; 40Вт; WDFN8

Немає в наявності
Код товару: NVTFS007N08HLTAG
55,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVTFS007N08HLTAG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 32,5нКл
Корпус: WDFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 40Вт
Струм стока: 71А
Струм стоку в імпульсі: 347А
Тип транзистора: N-MOSFET
Потенціометр: осьовий; Харкт: логарифмічна; 5кОм; ±20%; на панель
Потенціометр: осьовий; Харкт: логарифмічна; 5кОм; ±20%; на панель

149,52 грн

Довжина осі:
25мм
Допуск:
±20%
Кількість секцій:
1
Кут обертання механічний:
300°
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 10В; X6S; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 10В; X6S; ±10%; SMD; 0402

1,58 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Модуль: діодний; одиночний діод; 1,2кВ; If: 165А; INT-A-Pak
Модуль: діодний; одиночний діод; 1,2кВ; If: 165А; INT-A-Pak

3042,96 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
INT-A-Pak
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,99 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,69 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,8пФ
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 15мкГн; ±20%; V; 13,5x12,5x4,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 15мкГн; ±20%; V; 13,5x12,5x4,8мм

27,69 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
15мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
13,5x12,5x4,8мм
Недоступний
Резистор: metal film; 82Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ø2,5x6,5мм
Резистор: metal film; 82Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ø2,5x6,5мм

1,11 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
Ø2,5x6,5мм
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD