Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 77А; Idm: 449А; 45Вт; DFN5

Немає в наявності
Код товару: NTMFS6H836NLT1G
34,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: NTMFS6H836NLT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 34нКл
Корпус: DFN5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 6,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 77А
Струм стоку в імпульсі: 449А
Тип транзистора: N-MOSFET
Connector: wire-board; female; data; 3A; 250V; PIN: 2; unshielded
Connector: wire-board; female; data; 3A; 250V; PIN: 2; unshielded

83,00 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Кількість пін:
2
Колір корпусу:
чорний
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 3A; 250V

252,79 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; I2C,IrDA,LIN,SPI,UART,USART; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; I2C,IrDA,LIN,SPI,UART,USART; SMD

46,25 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; IrDA; LIN; SPI; UART; USART
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 1210

12,67 грн

Alias:
C1210C106K3PAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223