Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 300А; 1500Вт; 200нс

Немає в наявності
Код товару: IXFB300N10P
1538,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXFB300N10P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 279нКл
Корпус: PLUS264™
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 5,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5кВт
Струм стока: 300А
Технологія: HiPerFET™; Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 200нс
Недоступний
Адаптер; вилка; штекерний; PIN: 12; LAT-CON127; прямий; 800мА; 2x6
Адаптер; вилка; штекерний; PIN: 12; LAT-CON127; прямий; 800мА; 2x6

105,80 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
22,2мм
Кількість пін:
12
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thin film; 62Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 62Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

11,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: танталовий; low ESR; 330мкФ; 10ВDC; SMD; D; 2917; ±10%
Конденсатор: танталовий; low ESR; 330мкФ; 10ВDC; SMD; D; 2917; ±10%

123,54 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Ємність:
330мкФ
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; RP; -55÷155°C
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; RP; -55÷155°C

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 59,7Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 59,7Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 820Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD
Резистор: thick film; 820Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Без гайки,з подовженим різьбленням; M16; IP68; латунь; Entrelec
Без гайки,з подовженим різьбленням; M16; IP68; латунь; Entrelec

103,90 грн

Type of cable gland:
cable
Версія введення:
без гайки; з подовженим різьбленням
Вид різьблення:
метрична
Довжина гвинта:
12мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264

1021,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB